Новата флаш памет ще се базира на мемристорната технология на HP
SanDisk и Hewlett-Packard започват съвместна разработка на нова технология за енергийно-независимо съхранение на данни, която ще осигури 1000 пъти по-бързи и 1000 пъти по-дълготрайни флаш памети от съществуващите в момента.
Освен това новата технология ще направи паметите значително по-евтини и икономични, като същевременно те ще бъдат с много по-голяма плътност, в сравнение с оперативната памет DRAM. Предполага се, че сървърните възли ще получат десетки терабайти капацитет за съхранение в памети, направени по технологията на HP и SanDisk.
Основни сфери на приложение на новата памет се очаква да станат базите данни от типа in-memory, анализът в режим на реално време, обработката на транзакции и високопроизводителните изчисления.
Със съвместния си проект HP и SanDisk дават отговор на възникналите масивни потоци от данни, генерирани в резултат на взаимодействието на потребителите в социални мрежи, ръста в броя на мобилните устройства, бързото навлизане на облачните технологии и развитието на концепцията интернет на нещата (IoT).
Новата памет ще се разработва на базата на съществуващите технологии – ReRAM от SanDisk и мемристорите на HP. Освен това SanDisk ще предостави своята експертиза в масовото производство на чипове памет.
Очаква се съвместната работа на SanDisk и HP по новата памет да помогне на ИТ корпорацията от Пало Алто да ускори проекта The Machine – новата компютърна архитектура, която HP представи през юни миналата година.
Да, няма да е далеч времето когато ОП и ХДД ще станат едно цяло.
Може и малко по-рано да стане – Интел също са готови с технологията и ще започнат да се надпреварват.
Впечатляващо, но едвали ще излезе на пазара следващите 5г. Ако и 1/100 от това което обещават като параметри се окаже вярно ще убие HDD.