Saimemory – новостартираща компания, съоснована от Intel, SoftBank и Университета в Токио – разработва алтернатива на популярната технология за памет с висока пропускателна способност (HBM), предназначена да осигури още по-високи скорости на стека памети за мощни AI ускорители.
Saimemory планира да представи доклад за новоразработената си HB3DM памет през юни. Тя е базирана на технологията Z-Angle Memory (ZAM). „Z“ в името се отнася до вертикалното разположение (по оста Z) на чиповете на паметта, подобно на традиционната HBM памет.
Intel планира да използва най-модерните си технологии за подреждане, за да сглоби модулите. Първото поколение HB3DM ще се състои от общо девет слоя, свързани с помощта на хибридна технология за вертикално подреждане на чипове.
Ядрото на стека HB3DM ще бъде логически слой, който контролира движението на данните в чипа. Осем слоя DRAM памет ще бъдат наслоени отгоре за съхранение на данни. Всеки слой ще съдържа приблизително 13 700 TSV (through-slot) връзки за хибридно спояване.
Очаква се паметта HB3DM да осигури капацитет от приблизително 1,125 GB на слой, което съответства на 10 GB на стек.
Технологията постига приблизително 0,25 TB/s честотна лента на паметта на квадратен милиметър, така че за 10 GB модул с площ на кристала от 171 кв. мм може да се очаква приблизително 5,3 TB/s честотна лента.
Според публикуваните спецификации, HB3DM ще предложи повече от два пъти по-голяма честотна лента от HBM4, която осигурява приблизително 2 TB/s честотна лента на стек.
HB3DM обаче си има своите ограничения. По-конкретно, тази технология може да поддържа само стекове с капацитет до 10 GB, докато HBM4 поддържа стекове с капацитет до 48 GB.
Intel може да увеличи броя на слоевете с развитието на HB3DM, но засега разработката е фокусирана върху пропускателната способност.
В момента не е известно кога Saimemory планира да пусне HB3DM и кой ще произвежда базовите DRAM чипове за него – вероятно самата Intel.
