Най-бързата в индустрията флаш памет е разработена от Samsung и ще позволи безпроблемни и високоефективни AI услуги в бъдещите мобилни устройства, според официална информация от компанията.
Очаква се новият продукт Universal Flash Storage (UFS) 5.0 да намали латентността и да ускори времето за реакция при изпълнение на големи езикови модели (LLM) в AI среди на различни устройства.
Генеративният AI бързо се премества от облака към устройствата, което води до драматично увеличение на количеството данни, необходими за локална обработка. В резултат на това паметта се развива от среда, използвана предимно за съхранение на данни, към основна инфраструктура, поддържаща AI изчисленията.
Технологията UFS 5.0 използва най-новия стандарт за интерфейса за вграден памет на JEDEC, осигурявайки безпрецедентна производителност с най-високата пропускателна способност в индустрията.
Ултрабързата памет поддържа последователни скорости на четене до 10,8 GB/s и на запис до 9,5 GB/s, което е над два пъти повече от предишния стандарт UFS 4.1. Това значително подобрение позволява много по-бързо съхранение и обработка на големи обеми данни за приложения с изкуствен интелект на самото устройство.
Енергийната ефективност на Samsung UFS 5.0 също е подобрена с повече от 40% в сравнение с UFS 4.1. Това се постига чрез внедряване на няколко иновации, включително управление на тактовата честота и технологии за многоволтово напрежение.
Тези подобрения спомагат за значително намаляване на консумацията на енергия при прехвърляне на същия обем данни и удължават живота на батерията на мобилните устройства от следващо поколение.
Samsung е проектирала UFS 5.0 паметта в ултракомпактен корпус с размери само 7,5x13x0,9 мм, с 16,7% по-малко от нейния предшественик.
Корейският разработчик ще започне масово производство на новата UFS 5.0 памет през четвъртото тримесечие на тази година във варианти с капацитет до един терабайт (TB).
