(снимка: Samsung)
Технологичният гигант Samsung обяви официално началото на доставките на първата в света партида от 3-нанометрови чипове, направени с помощта на GAA транзистори. Събитието се състоя на мястото, където се намира производствената линия V1 – в кампуса Хуасеонг, Южна Корея.
На церемонията присъстваха около 100 души, включително висши служители на Министерството на търговията, промишлеността и енергетиката на Южна Корея и всички ключови служители на Samsung, които допринесоха за разработването и масовото производство на чипове от следващо поколение. Междувременно Samsung обяви амбициозната си цел „да продължи напред с иновативни технологии, за да стане най-добрият в света”.
Според представител на Samsung Foundry, технологичните пречки при разработване на 3-нм процес за производство на чипове са елиминирани чрез сътрудничество както с други подразделения на Samsung, така и с производствени и инфраструктурни партньори на компанията.
[related-posts]
3-нанометровите чипове на Samsung използват транзисторна технология GAA (Gate All Around), която осигурява по-ефективна консумация на енергия и подобрена производителност, в сравнение с FinFET.
Новото решение ще се използва за производство на процесори за сървъри и центрове за данни, както и за усъвършенствани чипсети за смартфони, таблети, преносими устройства, лаптопи, настолни компютри и друга електроника.
Samsung започна да разработва GAA в началото на 2000-те години и успешно приложи технологията за първи път в пилотно производство на 3-нм чипове през 2017 г. След няколко години изследвания и тестове компанията започна серийно производство – новите 3-нм чипове ще бъдат доставени на китайска компания за крипто-добив.
Основният конкурент на Samsung на пазара за производство на чипове по договор – тайванската TSMC – се очаква да започне да произвежда 3-нм чипове през четвъртото тримесечие на 2022 г. И двете компании ще се състезават за поръчки от големи играчи като AMD, Apple, MediaTek, Nvidia и Qualcomm.
