Корейската компания Samsung е създала нов тип мобилна оперативна памет (DRAM) с повишена пропускателна способност за използване в смартфони, таблети и други портативни устройства.
В сравнение със сегашните DDR-чипове, новата памет има 8 пъти по-голяма пропускателна способност, което ще ускори предаването на данни в смартфона, съобщи SamsungHub.com. Освен това тя консумира с 87% по-малко енергия.
Подобрението е постигнато чрез увеличаване на броя на контактите за данни на чипа от стандартните 32 до 512 (широк I/O интерфейс). По такъв начин пропускателната способност достига 12,8 GB/s.
Първоначално Samsung ще доставя чипове с капацитет 1 гибабит (128 мегабайта), произведени по 50-нанометрова технология. На по-късен етап компанията ще започне производство на 512-мегабайтови чипове (4 гигабита) по 20-нм процес.