Intel обяви първите доставки на 66-нанометрови (nm) флаш памети NOR MLC (Multi-Level Cell), вкл. 1-гигабитова (Gb) монолитна част за клетъчни телефони. Новите продукти са базирани на архитектурата Intel StrataFlash Cellular Memory (M18) и са напълно съвместими с широкоразпространените 90-nm флаш чипове на Intel, което осигурява лесна адаптация от страна на производителите на оригинално клетъчно оборудване (OEMs).
Eдиничният чип 1Gb MLC NOR, който е предназначен за мултимедийни телефони с мегапикселови камери и възможности за видео и високоскоростна информация, е в синхрон с телефоните от следващо поколение, които се появяват на пазара. Чипът осигурява почти двойно по-голям обем за съхранение за мултимедийни файлове и дава възможност за още по-тънки телефони, казват от Intel.
Компанията предвижда и 65-nm поддръжка на 512Mb, 256Mb и 128Mb продукти от семейството M18 през 2007 г.
Новите 65 nm NOR MLC части предлагат запис със скорост до 1 MB в секунда, както и възможности за съхранение на видео материали MPEG-4. Подобрението на скоростта на писане е два пъти в сравнение с предишния продукт на Intel. Издръжливостта на батерията също е увеличена чрез по-ниска консумация на енергия, работа при 1,8 волта и режим с много ниска консумация.
Архитектурата Intel StrataFlash Cellular Memory (M18) осигури на Sony Ericsson лесен начин да премине от 90 nm към 65 nm продукти, което пък доведе до по-бърза доставка на пазара на телефоните от следващо поколение, казват от компанията.
Междувременно Intel и Micron Technology обявиха, че са изпълнили предварително своята програма за развитие на съвместното предприятие за NAND флаш памет, наречена IM Flash Technologies. През юни двете компании представиха първите в индустрията образци на такава памет, изградени по 50-нанометрова технология. Производството ще започне през следващата година, вкл. на NAND MLC продукти.
Intel и Micron обявиха също намерение да създадат съвместно предприятие в Сингапур за производство на NAND флаш памет. Очаква се заводът да заработи през втората половина на 2008 г., като първоначално ще използва 50 nm технологичен процес на 300 mm пластини.