Сегашните DRAM памети може да бъдат заменени от двойно по-евтини чипове, с четири пъти по-голям капацитет (снимка: CC0 Public Domain)
SanDisk, компания, известна най-вече със своите USB флаш памети и SSD устройства, разработва революционна алтернатива на RAM. Новата технология може да замени DRAM паметите, бидейки по-добра в почти всички отношения.
SanDisk нарича своята иновация 3D Matrix Memory. Компанията подчертава, че новата ѝ памет струва наполовина по-малко, но може да съхранява четири пъти повече информация от съвременните DRAM чипове. Освен това пропускателната способност на 3D Matrix Memory не е по-ниска, тоест от гледна точка на потребителите новата памет има само предимства.
SanDisk не е сама в проекта 3D Matrix Memory. Компанията си сътрудничи със специалисти от изследователския център IMEC, а 3D Matrix Memory е базирана на така наречената „архитектура на плътните масиви”. Според разработчиците, четири пъти по-високият капацитет е постигнат чрез използване на клетки с нов матричен дизайн.
Самата памет остава съвместима с различни индустриални стандарти, включително отворения CXL. На теория това означава, че преходът на компютърната индустрия от DRAM към 3D Matrix Memory може да бъде относително лесен и бърз.
При представяне на 3D Matrix Memory, SanDisk направи няколко твърдения за новата памет, включително, че е в състояние да пробие „стената на паметта”. Това е дългогодишен проблем за разработчиците на памети и произтича от неспособността им да бъдат в крак с непрекъснато нарастващите изисквания на индустрията.
SanDisk не пропусна да отбележи и забавеното развитие на DRAM паметта. То се влияе от много фактори, включително постоянното нарастване на разходите за производство на чипове памет при относително ниско търсене, поради излишъка им в складовете. SanDisk твърди, че 3D Matrix Memory не се влияе от всички тези фактори.
Компанията не се съмнява, че докато компаниите в момента често губят пари, когато произвеждат DRAM памет, като я продават на ниски цени, в случая с 3D Matrix Memory икономическата ефективност, напротив, не само ще бъде очевидна – тя също ще расте с времето.
SanDisk дори е изготвила диаграма, която показва, че до шестата година от производството на 3D Matrix Memory компанията, която я пусне, ще получи 50 процента спестявания на разходи за бит памет, в сравнение с настоящите DRAM модули.
Разработчикът не се ангажира дори с приблизителна начална дата за производството на 3D Matrix Memory. Подготовката е на няколко етапа, всеки от които може да отнеме много време. Първият е преходът от производство на 150-мм подложки в изследователската фабрика на Western Digital към 300-мм подложки в производственото съоръжение на IMEC. Този преход се планира да бъде осъществен през 2025 г.
Вторият етап от постепенния преход към 3D Matrix Memory е производството на няколко проби от модули памет от първо поколение с капацитет 32-64 Gbit. Но все още няма конкретни дати за следване на този план.
Развитието на 3D Matrix Memory продължава всъщност от 2017 г., тоест осем години. През това време пазарът на RAM памет беше здраво завладян от бързи и енергийно ефективни DDR5 чипове, пуснати през 2020 г., докато остарелите DDR4 и DDR3 памети постепенно отпадат.
Премиерата на 3D Matrix Memory се състоя сякаш мимоходом, на конференцията SanDisk 2.0, където получи по-малко време от 128TB SSD за центрове за данни и плановете на SanDisk да пусне 256TB SSD през 2026 г., 512TB година по-късно и 1PB през 2032 г.