Компанията Hynix Semiconductor обяви, че е създала 512-мегабитов модул памет DRAM с честота 200MHz за мобилни устройства. Според Hynix, това е най-бързата и най-малката мобилна DRAM.
Новата памет от тип DDR SDRAM използва 32-битов широк вход/изход и обработва 1,6 гигабайта данни за секунда (400 bps x32). Това постижение е приблизително 1,5 пъти по-високо от скоростта на сегашните мобилни DRAM продукти на компанията.
Hynix очаква новият 512-мегабитов модул да засили позициите й на пазара за мобилни приложения, където тенденцията е към по-нататъшна миниатюризация (8×10мм).
Компанията планира също да комбинира 512Mbit модул DRAM и NAND флаш в един мултичипов пакет (MCP). Източници от компанията твърдят, че Hynix е на финалния етап от процедура за получаване на одобрение от водещ в света производител на мобилни чипсети.