До края на текущото десетилетие Samsung Electronics ще внедри своя 1-нанометров технологичен процес за чипове, известен още като „мечтания процес“. Едновременно с това компанията подобрява своя 2-нанометров процес.
Samsung разглежда 1-нм процес като следващия важен етап в технологичната надпревара с конкурента TSMC и възнамерява да го използва, за да укрепи позицията си на пазара за усъвършенствани полупроводници.
Ключова характеристика на бъдещия 1-нанометров процес се очаква да бъде неговата архитектура тип „вилковидна структура“, отбелязва Korea Economic Daily, позовавайки се на източници от индустрията.
Докато Samsung в момента използва GAA (gate-all-around) архитектура в своите 2-нанометрови решения, на следващ етап компанията планира да добави електрически изолиращи стени между тези структури.
Това решение на Samsung ще позволи по-плътно опаковане на компоненти в рамките на една и съща област на кристала. По същество, „вилковият слой“ би трябвало да помогне за увеличаване на броя на транзисторите в рамките на една и съща област.
В същото време Samsung ускорява разработването на своя 2-нанометров технологичeн процес. Компанията работи върху няколко варианта.
Един от тях е SF2T – 2-нанометров процес за системата на чип Tesla AI6 SoC, която е планирана за производство в завода на Samsung в Тейлър, САЩ от 2027 г.
Компанията разработва още SF2P – процес, който ще се използва тази година за нови мобилни чипове, и SF2P+, който е планиран за внедряване през следващата година.
Според представители на индустрията, добивът на добри чипове, използващи настоящия 2-нанометров процес на Samsung, вече е надхвърлил 60%.
