HP и южнокорейският производител Hynix Semiconductor ще разработват и комерсиализират нова памет, която се счита от специалистите за алтернатива на NAND флаша.
Двете компании обявиха партньорство за създаване на материали и технологии за производство на мемристори, на базата на които ще се правят т.нар. ReRAM – резистивна памет с произволен достъп.
ReRAM се отличава с много ниско енергопотребление. Според мнозина експерти тази технология може да замени в бъдеще NAND паметите, използвани в момента в мобилни телефони, MP3 плейъри, цифрови камери и друга електроника.
ReRAM може да играе и ролята на универсален носител, т.е. като постоянна и оперативна памет eдновременно.
Мемристорите изискват по-малко енергия и са по-бързи от SSD паметите. Могат да съхраняват информация при изключено захранване.
За първи път мемристорът (memory resistor) беше предложен като четвърти основен елемент на електрическите схеми от професор Леон Чуа от Университета на Калифорнии в Бъркли през 1971 г. HP пък първа реализира на практика мемристора в главното си научно-изследователско поделение през 2006 г.