Компанията Hynix обяви в понеделник, че е създала най-бързия DRAM чип. Новата памет е разработена по 60-нанометрова технология и работи на честота 800 MHz.
Чипът предлага капацитет от 1GB и е по-бърз от настоящите DRAM памети, които работят на 667 MHz, твърди компанията.
Hynix обещава DDR2 модули по новата технология да се появят през първата половина на 2007 година. Инженерите на компанията са използвали тридименсионна архитектура и по-ефективен 60-нанометров процес при създаване на новия чип памет.
Разработката на Hynix показва сериозен напредък в индустрията, според анализатори от Gartner. Тя въвежда трети метален слой, което е голяма стъпка напред, смятат специалистите.
Hynix е сравнително малка компания на един пазар, който се доминира от гиганти като корейския Samsung. Технологията CMP (chemical metal polish), използвана в новия чип, има някои предимства, които биха позволили на Hynix да постигне по-ефективно производство.