Нова памет с променлива фаза ще демонстрира Intel през първата половина на тази година. Гигантът я нарича PRAM, докато други компании, работещи по същата технология, налагат името PCM.
Intel възнамерява да пусне първите PRAM модули като директни заместници на NOR флаша. Компанията твърди, че PRAM има по-голям брой цикли „четене-запис” (100 милиона) от флаша и потенциал за 10-годишно запазване на данни, посочва arstechnica.com.
NOR флашът обикновено се използва за съхранение на програми в мобилни устройства от рода на клетъчни телефони. По-трайната, но по-бавна NAND флаш се прилага за съхранение на големи обеми данни в устройства като iPod nano.
Samsung, IBM, Intel, Hitachi и други компании активно изследваха паметта с променлива фаза (phase-change memory) като вероятен заместител на флаша. Предимствата на PCM в сравнение с флаша са многобройни.
Технологията се приближава до Светия Граал на компютърната памет – среда със стабилно състояние, малък размер на клетките и бърз достъп. Тя е нещо подобно на DRAM, но без да изисква схеми за опресняване.
Но въпреки всичко и PRAM не е съвършена. Технологията на Hitachi, например, се хвали с нейната латентност (закъснение) при четене от 20 ns. Това са наистина впечатляващи резултати в сравнение с типичната за флаш паметта латентност от 50 до 90 ns, но е доста далече от латентността на DDR2, която е 3 ns. Ако PRAM на Intel е подобна, то едва ли в скоро време тя ще се използва като основна памет в компютъра.
Някои експерти определят MRAM като най-вероятен кандидат за заместник DRAM паметта. MRAM притежава много от предимствата на PRAM, а компании като IBM и Motorola, които работят над нея, твърдят, че могат да я направят да работи със същата латентност като DRAM.
Intel започна да разработва PRAM през 2000 година, когато компанията лицензира технология за памет с променлива фаза от Ovonyx. Микропроцесорният гигант се надява да започне масово производство на 128-мегабитови чипове PRAM в края на тази година.
Samsung вече демонстрира 512 Mbit PRAM чип и обяви, че планира да предложи цяла линия от PRAM продукти през 2008 година. В края на миналия месец компанията започна да тества 256 Mbit и 512 Mbit чипове, произведени по 90-нанометров процес, заедно с производители на мобилни телефони.
Intel на този етап не разкрива детайли за своя чип. Според някои информации, латентността на PRAM ще е близка до тази на DRAM. Паметта с променлива фаза по принцип притежава много висока скорост на четене, а пропускателната способност зависи от това как ще бъде конфигурирана PRAM в съществуващия краен продукт.