Флаш памет 3D NAND, създадена от Micron Technology и Intel, ще позволи вграждане в лаптопите на дискове с капацитет над 10 терабайта (TB). Технологията използва по-голям брой клетки, наложени една върху друга.
3D NAND паметта се състои общо от 32 слоя и съхранява два бита в една клетка, като по този начин се получава чип с капацитет 32GB, а при съхранение на 3 бита в клетка капацитетът нараства до 48GB.
Двумерната NAND памет е близка до своята технологична граница. Новата 3D NAND технология дава възможност на индустрията да продължи да следва закона на Мур. Очаква се на нейна база да бъдат създадени SSD с капацитет 3,5TB с размерите на дъвка и над 10-терабайтови устройства в 2,5-инчов формат.
[related-posts]
Micron и Intel използват клетки с плаващ затвор, за да гарантират надеждността на работа на новата памет и в центрове за данни. Досега подобни клетки не намираха приложение в памети от типа 3D NAND.
Тестови образци на чипове с капацитет 32GB вече се доставят на производители, а до края на пролетта ще бъдат готови и 48-гигабайтовите чипове. Серийното производство на новите 3D NAND памети ще започне през четвъртото тримесечие, а първите устройства с тях се очакват през 2016 г.
1 коментар
Ако някой има опит с възстановяване на загубени данни от SSD – нека сподели. Не ми се представя как се възстановяват 10 TB данни.