Силицият, основен елемент в днешните чипове, изживява последните си дни, тъй като вече достига предела на своите възможности. Усилията на много учени сега са насочени към нанотехнологиите, с които се свързва следващият скок в скоростта на изчисленията.
Специалисти от изследователския център Дрезден-Розендорф (FZD) обаче са успели да постигнат свръхпроводимост с елемента германий, който досега не се подаваше на подобни експерименти.
Оказва се, че свръхпроводимостта при германия е възможна, ако неговата кристална решетка се атакува с чужди атоми или се приложи процес на йонна имплантация.
Откритието дава надежди, че германият може да се използва като материал за изготвяне на транзистори за чипове, вместо вече изчерпания силиций.
Според учените, електронните процеси при германия ще протичат много по-бързо, поради неговата свръхпроводимост.
Друг очакван положителен ефект е преодоляване на температурните бариери. Чиповете от свръхпороводим германий ще могат да работят в много по-широк диапазон на температурата, спрямо съществуващите аналози.
Германият е в основата на първата интегрална схема, създадена преди повече от 50 години. Днес този елемент може да даде нов тласък на електронната индустрия, благодарение на свойството му на свръхпроводимост.
Според закона на Мур, който повече от 40 години диктува темпа на промяна в технологичната индустрия, броят на транзисторите в компютърния чип се удвоява приблизително на всеки две години. Гордън Мур, съосновател на Intel, каза неотдавна, че краят на технологичния максимум наближава и може би ще дойде след около 10-ина години.
Intel, най-големият производител на процесори, обаче планира да премине към 10-нанометров технологичен процес в следващите десет години. Това означава, че действието на закона на Мур ще бъде удължено.
В своите 45-нанометрови процесори компанията замести силициевия диоксид с по-тънък материал за изолация, базиран на хафний и наречен high-k. Той намалява загубата на ток с повече от 10 пъти в сравнение със силициевия диоксид. Втората част от рецептата на Intel е нов метален гейт, който в комбинация с high-k изолатора осигурява над 20% увеличение на производителността на транзистора.