3D NAND паметта достигна нови предели на плътността с 218-слойна разработка
(снимка: Kioxia)
Kioxia и Western Digital са разработили чип 3D NAND флаш памет с 218 слоя и капацитет от 1 терабит, за който се твърди, че има най-голямата досега плътност. Чиповете ще се произвеждат както с 3-битови клетки (TLC), така и с 4-битови (QLC).
Според двете компании, новите чипове имат най-високата плътност на битове в индустрията на флаш паметите. Техни образци вече са получени за тестване от ограничен кръг клиенти. Новата памет ще намери място в смартфони, интернет устройства и SSD дискове.
218-слойната 3D NAND памет принадлежи към осмо поколение на BiCS FLASH продуктите на Kioxia и Western Digital. Деветото поколение ще съдържа чипове с повече от 300 слоя.
Партньорите използват „залепване” на кристали, за да увеличат броя на слоевете. Освен това клетъчният масив и контролерът се произвеждат отделно и се сглобяват във вертикален стек в процеса на „залепване”.
По-рано Kioxia и Western Digital интегрираха контролерите в клетъчните масиви. Китайската компания YMTC първа започна да произвежда отделно контролерния чип по технологията Xtacking.
В случая с 218-слойната BiCS FLASH памет на Kioxia и Western Digital се използва иновативната технология CBA (CMOS директно свързан към масив), при която контролерите и клетъчните масиви се произвеждат на отделни пластини с оптимизация на всеки процес и се комбинират само след пълна обработка.
Клетъчният масив все още използва „четири отделни равнини”, което позволява ускоряване на паметта, благодарение на паралелизма. Също така, при производството на 218-слойната памет масивите са „свити” вертикално и хоризонтално. Именно това (по-точно страничното свиване на клетките) прави възможно увеличаването на плътността на битовете с 50%.
В допълнение, производителността на паметта е увеличена с 60%, в сравнение с предишното поколение чипове. Това означава, че скоростта на работа при всеки контакт на шината за данни се е увеличила до 3,2 Gb/s.
Скоростта на запис е подобрена с около 20%. Закъсненията при четене са намалени, което също ще има положително въздействие върху производителността на новите 3D NAND чипове на Kioxia и Western Digital.
Като цяло тази памет ще бъде нова стъпка към създаване на по-производителни електронни устройства и приложения, които могат да се очакват на пазара до края на тази година.