С въвеждане на технологични процеси под 2 нм, Samsung ще скъси дистанцията от конкурента в производството на чипове TSMC (снимка: Samsung)
Samsung Electronics ускорява работата по своите 2- и 1,4-нанометрови технологични процеси за чипове и планира да започне производство още през 2025 г., съобщи TechPowerUp, позовавайки се на източници от индустрията.
Компанията инсталира модерно оборудване в завода S3 в Хуасонг, за да изгради 2-нм производствена линия. Към първото тримесечие на следващата година линията ще може да произвежда 7000 силициеви пластини месечно.
Освен това Samsung планира да създаде 1,4-нм производствена линия в завода S5 в Пьонтек до второто тримесечие на следващата година. Тази линия трябва да произвежда 2000-3000 пластини месечно.
До края на следващата година Samsung ще прехвърли всички останали 3-нм производствени линии към S3 на 2 нанометра, според информирани източници от полупроводниковата индустрия.
По-рано стана ясно, че Samsung е отложил пускането на своя завод в Тайлър, Тексас. Предприятието, планирано да отвори врати в края на 2024 г., няма да заработи до 2026 г.
Освен това Samsung промени плановете си за линията Fab 4 в Пьонтек. Там ще се произвежда DRAM памет. А в завода Fab 3 в Пьонтек, където е инсталирана 4-нм линия, компанията намали обема на производството.
Тези промени са част от плана на Samsung да произвежда 2-нм чипове през следващата година и 1,4-нм чипове до 2027 г. Компанията иска да настигне своя конкурент TSMC. В момента Samsung държи 11,5% от световния пазар за производство на чипове, докато TSMC води с 62,3%.