Фероелектричен транзистор тънък колкото няколко атома може да съхранява 3024 състояния на поляризация, проправяйки пътя за енергийно ефективна невроморфна електроника и изкуствен интелект.
Уникалният транзистор е направен от слоести материали – графен и хексагонален боров нитрид (hBN), които образуват характерен мозаичен модел. Разработката е дело на учени от Университета по аеронавтика и астронавтика в Нанкин (Китай).
Ключовата характеристика на транзистора е способността му да съхранява 3024 различни състояния на поляризация, с два порядъка повече от предишните аналози.
Това свойство на транзистора се постига чрез плъзгане на слоевете един спрямо друг и прецизно контролиране на електрическите импулси, става ясно от публикация за разработката в Nature Electronics.
Транзисторът демонстрира стабилност на състоянието за над 100 000 секунди и успешно преминава тестове за изчисления на изкуствения интелект: точността на разпознаване на изображения достигна 93%.
Прототипът на иновативния транзистор работи при стайна и повишена температура, а простата му структура улеснява мащабируемостта при изграждане на изчислителни устройства на негова база.
Фероелектричните транзистори биха могли да формират основата за енергийно ефективни невроморфни чипове, които имитират мозъчната функция, и за нови видове памет.
В бъдеще екипът планира да доведе технологията до мащабно производство и да подобри скоростта на реакция. Предстои да видим дали тази перспективна разработка ще намери практическо приложение.
