Тайванският чипмейкър TSMC обяви напредък в новите CFET транзистори за чипове
(снимка: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited)
Лабораториите на TSMC вече разполагат с работещи чипове със CFET транзистори (Complementary FET), заяви представител на тайванския производител по време на технологичен симпозиум в Европа. Компанията обаче има да извърви още път преди да предложи CFET продукти на пазара.
CFET транзисторите са в много ранен етап на разработка. До влизането им в масово производство ще се появят няколко поколения други видове транзистори, отбелязва AnandTech.
Преди CFET се очакват GAA транзистори с кръгъл гейт, които TSMC ще въведе с предстоящата 2-нм N2 технология. CFET ще станат идеологически наследници на GAAFET, с предимства спрямо тях и FinFET в енергийната ефективност, производителността и плътността на транзисторите.
Всички тези предимства обаче все още са само теория, която зависи от това дали проектантите ще успеят да преодолеят значителните технологични трудности, свързани не само с производството, но и с разработката на този тип транзистори.
По-специално, както отбелязва TSMC, производството на CFET транзистори ще изисква изключително прецизни литографски инструменти, за да се поставят n-тип и p-тип полупроводникови елементи един до друг, както и най-висококачествени материали с необходимите електрически свойства.
Като всеки производител на чипове, TSMC разработва и изследва различни видове транзистори. CFET е в плановете и на Intel. Въпреки това TSMC първа съобщи, че е получила работещи CFET в лаборатория.
Сега предизвикателството пред тайванската компания е да разбере как да произвежда масово тези транзистори. Според източници от чипмейкъра, това определено няма да се случи в близко бъдеще.
„Всичко отвъд нанолистовете [в пътната карта на TSMC] е въпрос на далечно бъдеще. Продължаваме да работим на няколко фронта. Сега проучваме всички [типове транзистори] като кандидати за бъдещо производство, но не можем да кажем точно коя архитектура на транзисторите ще се използва след нанолистовете”, коментира Кевин Джан, вицепрезидент и директор по технологично развитие на TSMC .
По думите на Джан, TSMC планира да използва GAA транзистори за производството на чипове в продължение на няколко години. „Използването на нанолистове ще започне от 2 нанометра. Логично е да се предположи, че нанолистовете ще се използват поне за няколко следващи поколения. Така че, ако говорим за CFET… ние използваме едни и същи FinFET [транзистори] в продължение на пет поколения, тоест повече от 10 години“, казва той.