Intel и Micron Technology въвеждат нов, по-фин 20-нанометров технологичен процес за производство на NAND флаш памет. Технологията ще се използва за памети с клетки на няколко нива (MLC) и с капацитет от 8 GB. Новите памети ще намерят приложение в смартфони, таблети и твърдотелни дискове (SSD) за съхранение на музика, видео, книги и друга информация.
Нарастването на обема на данните, в комбинация с подобренията на характеристиките на таблети и смартфони създава ново търсене за NAND флаш памети, особено за решения с по-голям капацитет в по-малък формат. Размерите на новите 20-нм памети с капацитет 8GB са само 118 квадратни милиметра, което води до намаляване на заеманото от тях пространство с 30% до 40%, в сравнение с настоящите 25-нм 8GB NAND.
 |
| Намаляването на размера на NAND до 20 нанометра е най-ценовоефективният начин за увеличаване на производството |
Намаляването на пространството за съхранение на данни осигурява по-високо ниво на ефективност на системите с флаш памет, като позволява на производителите на таблети и смартфони да използват допълнителното пространство за усъвършенстване на крайните продукти – например за по-голяма батерия, по-широк екран или добавяне на друг чип с нови характеристики.
Произведена от IM Flash Technologies (IMFT), съвместното дружество на Intel и Micron, новият 20-нм продукт с капацитет 8GB е пробив в NAND производството и технологичния дизайн и литографията. Намаляването на размера на NAND до 20 нм е най-ценовоефективният начин за увеличаване на производството на завода, като осигурява приблизително 50% повече гигабайтов капацитет, в сравнение с настоящата технология.
Мостри на 20-нм NAND памети с капацитет 8GB вече се доставят на производителите на устройства. Очаква се масовото производство на новите памети да започне през втората половина на 2011 г. По същото време Intel и Micron ще покажат мостра на памет с 16GB капацитет.