Intel и Numonyx обявиха пробив в разработката на фазова памет (PCM). За първи път изследователите демонстрираха тестов чип с капацитет 64Mb, който дава възможност за влагане на много слоеве PCM в една единствена матрица.
Това развитие полага основите за създаване на високоскоростни памети, с по-ниска консумация на енергия и максимално спестяване на пространство.
Постиженията са резултат от обща изследователска програма на Numonyx и Intel, която се фокусира върху изучаването на многопластови или акумулирани PCM клетки.
Вертикално интегрираните клетки памет, наречени PCM(S) (phase change memory and switch) се състоят от един PCM елемент, върху който има слой от Ovonic Threshold Switch (OTS) от две фази.
Способността да се наслагват или акумулират слоеве от PCM(S) прави стъпаловидната памет още по-наситена, като в същото време запазва характеристиките на производителността на PCM – предизвикателство, което става все по-трудно с традиционните технологии за памет.
“Резултатите са изключително обещаващи”, каза Грег Атууд, технологичен директор в Numonyx. “Те показват потенциал за по-голяма наситеност, повече възможности за надграждане и създаване на модели, подобни на NAND, за бъдещите PCM продукти. Това е важно, тъй като традиционните технологии за флаш памет имат някои физически ограничения и проблеми с надеждността”.