TechNews.bg
Водещи новиниНоваторскиНовиниТехнологииТоп новини

Тънка силициева пластина намалява загубите на енергия

Силициева пластина, тънка само 20 микрона, ще подобри рязко енергийната ефективност
(снимка: Infineon Technologies)

Нарастващото потребление на енергия от платформите с изкуствен интелект налага на разработчиците да търсят всякакви възможности за намаляване на консумацията. Вариантите не са много, а един от тях е предложен от немската полупроводникова компания Infineon Technologies.


Infineon успя да намали загубите в силовите полупроводници, които захранват процесори, компоненти на AI платформи и др. За да направи това, компанията е усвоила технологията за производство на най-тънките в света силициеви субстрати – два пъти по-тънки от наличните на пазара в момента, съобщи Inside HPC.

Съвременните тънки силициеви пластини с диаметър до 300 мм имат изходна дебелина 40-60 микрона. Infineon разработи окончателен процес на полиране, който прави възможно намаляването на дебелината на пластината – субстрата за бъдещото производство на чипове върху него – до 20 микрона. За сравнение, средната дебелина на човешкия косъм достига 80 микрона.

За да се произведе силициева пластина с диаметър 30 ​​см и дебелина 20 микрона, е необходимо да се постигне съвършенство във всички етапи на производството – от рязане до шлайфане. Infineon твърди, че е готова да внедри тази технология в масовото производство на чипове.

Infineon е сред производителите на захранващи компоненти, направени от силиций, силициев карбид и галиев нитрид. Използването на материали извън чистия силиций позволява създаване на по-ефективни и мощни компоненти за захранващи подсистеми и преобразуване на напрежение и ток.


Това е изключително важно в светлината на нарастващото потребление на енергия от ИТ системите. Използването на по-тънки пластини за производство на силови чипове ще намали устойчивостта на субстрата с 50% и като цяло ще намали загубата на мощност с 15%.

Процесорите и AI чиповете преминават към захранване от силициевата пластина, доставяно чрез канали с вертикална метализация. Намаляването на дължината (височината) на тези канали в MOSFET вериги понижава тяхното съпротивление и води до подобрена ефективност и повишена плътност на мощността.

В мащаба на AI центъра за данни това може да бъде впечатляващо спестяване на енергия. Infineon обещава да предостави нови „тънки” захранващи чипове на всички клиенти в рамките на две години.

още от категорията

Изкуствен интелект открива интернет зависимост с 86% точност

TechNews.bg

7 тенденции в изкуствения интелект през 2026 г.

TechNews.bg

Целият 2-нм капацитет на TSMC е резервиран до края на 2026 г.

TechNews.bg

AI резюметата съсипват труда на кулинарните блогъри

TechNews.bg

AI не се отплаща, но компаниите увеличат разходите си за него

TechNews.bg

Тръмп наема 1000 специалисти за „Технологичната сила“

TechNews.bg

Коментари