Японската компания Toshiba обяви, че е готова да пусне модули памет от типа MRAM (магниторезистивни RAM) с капацитет 1 гигабайт и размери на пощенска марка. Експертите виждат именно в MRAM близка алтернатива на сегашните DRAM памети.
През август миналата година IBM съобщи, че работи по магниторезистивна памет, но тогава анализаторите смятаха, че появата на MRAM на пазара е далеч във времето. Обявлението на Toshiba подсказва, че новата памет ще навлезе по-бързо от очакваното.
Паметите MRAM имат няколко съществени предимства спрямо DRAM. На първо място, те са по-бързи от своите предшественици. Не по-маловажна е способността им да съхраняват данните дори и след изключване на захранването. Магниторезистивните памети са изключително икономични, като в работен режим консумират 10 пъти по-малко от DRAM.
Въпреки всичко преходът от DRAM към MRAM ще отнеме доста време. През миналата година са продадени DRAM модули за около 30 милиарда евро. Според Toshiba, новата MRAM памет ще вземе своето някъде към 2015 година, съобщава mram-info.com.