Intel се опита да вдигне плътността на транзисторите в чиповете с 2,7 пъти наведнъж, но това се оказа проблем, призна CEO-то Боб Суон (снимка: Intel)
Главният изпълнителен директор на Intel Боб Соун смята, че компанията и избързала с разработването на 10-нанометровия технологичен процес за чиипове. „Твърде агресивният” подход се е обърнал срещу плановете на компанията.
На конференцията Brainstorm Tech, организирана от Fortune, Боб Суон коментира текущото състояние на Intel и посоката на бъдещото развитие. Отговаряйки на въпрос за прекратяване на действието на закона на Мур, шефът на Intel призна, че „твърде агресивният” подход за поддържане на темпото на овладяване на новите технологични стандарти се е оказал проблем за компанията.
Вместо да увеличават плътността на транзисторите в чипа два пъти на всеки две години, както преди, специалистите на Intel се опитват да постигнат 2,7 пъти увеличение веднага, с преход от 14 на 10 нанометра. Резултатът е петгодишно закъснение на доставките на 10-нанометрови чипове.
Още през 2017 г. Intel показа готовност за 10 нанометра, но компанията не успя да пусне навреме масовото производство (снимка: Intel)
Боб Суон увери, че след усвояване на 10-те нанометра Intel ще се върне към предишните темпове на разработка: през следващите две години компанията ще започне производство на 7-нанометрови продукти, които ще имат два пъти по-висока плътност на транзисторите от 10-нанометровите. Твърди се, че тази технология вече се развива.
Динозаври.