Полеви транзистор с двоен плаващ затвор може да стане основа за създаване на нов тип памет, която съчетава предимствата на DRAM и флаш. Това ще бъде памет с произволен достъп до данните (както динамичната) и същевременно с много високо високо бързодействие и енергийно независима (както флаш паметта).
Изследователи от Университета на Северна Каролина вече са създали прототип на транзистор, на който ще стъпи новата памет. За разлика от полевите транзистори с един затвор, които се използват във флаш паметта, новият транзистор има двоен плаващ затвор.
Допълнителният затвор позволява данните да се държат в активно състояние и оперативно да се променя състоянието на клетките. Основният затвор, състоянието на който се променя с повишено напрежение, служи за дълготрайно съхранение на информацията.
Превключването между режимите на оперативно и дълготрайно съхранение на данните заема само един цикъл и не е предизвиква загуба на информация.
Подобна памет може да се използва по следния начин: когато компютърът е включен, паметта работи в оперативен режим, а при изключване се преминава към енергийно-независим режим на съхранение, така че след повторното включване, системата може да продължи работата си от същото място, на което е била прекъсната.