При новата памет превключването на клетките се извършва чрез пропускане на неголям ток по нанотръбите (двете крайни клетки са в затворено състояния, а тази в средата – в отворено)
Изследователи от Илинойския университет създадоха памет със свръхмалка консумация на електроенергия.
Базирана на нанотръби, новата памет е 100 пъти по-икономична в сравнение със сегашните флаш памети, като освен това е много по-бърза, съобщи университетският сайт.
Флаш паметта работи на принципа на съхраняване на електрически заряд, което е свързано с използване на високо напрежение за запис и води до сравнително ниско бързодействие. Перспективна алтернатива са паметите с фазов преход. И при тях обаче е необходима голяма енергия за превключване на състоянието на клетките, поради материала, от който са направени.
Специалистите от университета Илинойс са решили тези проблеми чрез съществено намаляване на размера на клетката. Вместо полупроводник, те използват въглеродни нанотръби, а клетката на паметта представлява микроскопично количество вещество, поместено между два участъка с нанотръби. Превключването в състояние 1 или 0 се извършва чрез пропускане на неголям ток по нанотръбата.
Подобна памет може значително да увеличи времето за автономна работа на мобилните устройства, в които ще се използва. Освен ниската консумация, паметта с нанотръби е по-дълготрайна и неподаталива на влияние от магнитно поле. Към момента разработката е на етап прототип.