Elpida показа ReRAM памет без аналог на пазара

Elpida представи прототип на резистивна памет без аналог на пазара. Чипът има редица предимства спрямо масово използваните капацитивни памети, твърди третият по големина производител в сектора.

Elpida нарича своя продукт „високоскоростна енергийнонезависима резистивна памет с произволен достъп”, или ReRAM. Тя съчетава скоростта на DRAM и енергийната независимост на NAND.

Резистивната памет е изпълнена по 50-нанометрова технология и има плътност на клетките 64 мегабита на масив. В разработката освен Elpida са участвали Sharp, Университетът на Токио и Японският национален научно-технологичен институт.

Мнозина специалисти считат резистивната памет за нов клон в развитието на изчислителната техника. Същността на технологията се състои в използване на особен материал, чието електрическо съпротивление се променя под въздействие на напрежение.

За разлика от DRAM, където всяка клетка представлява кондзензатор и изисква често презареждане, при резистивната памет информацията се съхранява независимо от източника на енергия. Времето за запис на ReRAM е 10 наносекунди, което съответства на скоростта на DRAM.

Elpida планира да започне серийно производство на новите резистивни памети през 2013 година по 30-нанометров процес.

Коментари по темата: „Elpida показа ReRAM памет без аналог на пазара”

добавете коментар...

  1. fire

    Дано да издухат флашките с тая скорост 🙂 Само незнам как ще се справят заедно с USB 2.0. Все още малко машини са с 3.0. Пък и там има особености.

Коментар