Elpida представи прототип на резистивна памет без аналог на пазара. Чипът има редица предимства спрямо масово използваните капацитивни памети, твърди третият по големина производител в сектора.
Elpida нарича своя продукт „високоскоростна енергийнонезависима резистивна памет с произволен достъп”, или ReRAM. Тя съчетава скоростта на DRAM и енергийната независимост на NAND.
Резистивната памет е изпълнена по 50-нанометрова технология и има плътност на клетките 64 мегабита на масив. В разработката освен Elpida са участвали Sharp, Университетът на Токио и Японският национален научно-технологичен институт.
Мнозина специалисти считат резистивната памет за нов клон в развитието на изчислителната техника. Същността на технологията се състои в използване на особен материал, чието електрическо съпротивление се променя под въздействие на напрежение.
За разлика от DRAM, където всяка клетка представлява кондзензатор и изисква често презареждане, при резистивната памет информацията се съхранява независимо от източника на енергия. Времето за запис на ReRAM е 10 наносекунди, което съответства на скоростта на DRAM.
Elpida планира да започне серийно производство на новите резистивни памети през 2013 година по 30-нанометров процес.
Дано да издухат флашките с тая скорост 🙂 Само незнам как ще се справят заедно с USB 2.0. Все още малко машини са с 3.0. Пък и там има особености.