ROHM Group започва серийно производство на флаш памети B4-Flash, след като сключи лицензно споразумение с разработчика на технологията – японската компания Genusion.
 |
Енергийнонезависимата памет B4-Flash има редица предимства, вкл. ниска цена, по-високи плътност на съхранение на данните и скорости на изтриване и запис, в сравнение с флаш паметта от тип NOR.
Новите чипове ще имат плътност на съхранение на данните 512 мегабита и 1 гигабит. В сравнение с NOR технологията, B4-Flash е по-бърза с 5-10 пъти.
Освен това новата памет е по-устойчива на нагряване, като запазва записаната информация и при високи температури. Според разработчика, B4-Flash запазва данните в продължение на 20 години след 10 000 цикъла на изтриване/запис при температура 125°C.
Споразумението между ROHM и Genusion предвижда пускане на интегрални схеми и други продукти с вградена памет B4-Flash под търговските марки ROHM и LAPIS Semiconductor, която е част от групата. Чиповете ще намерят приложение в автомобилни навигатори и смартфони.
Техническа грешка – "след 1000 цикъла" трябва да бъде "след 10,000 цикъла"