Корейската компания Samsung стартира масово производство на чипове с NAND флаш памет с най-високия капацитет – 16 гигабита (Gb).
Новите модули се произвеждат по 51-нанометров процес на базата на технологията MLC (multi-level cell – клетка на няколко нива). Това позволява да се увеличи ефективността на процеса с 80%, спрямо 60-нанометровата технология, съобщи techlabs.
Скоростта на флаш паметите, изградени от такива модули, достига 30 MB/s при четене и 8 MB/s при запис. За сравнение, текущото поколение флаш чипове осигурява 17 и 4.4 MB/s съответно при четене и запис.
На базата на 16-гигабитовите модули ще се произвеждат флаш драйвове с капацитет до 16 гигабайта (GB), в които ще влизат по 8 от новите чипове. По такъв начин, MP3 плеърите и мобилните телефони вече ще имат флаш памет, която доскоро беше възможна само чрез твърдите дискове.
Освен това, преходът към новия технологичен процес означава и намаление на цената на флайш драйвовете. Чиповете по 16 Gb определят минималния капацитет от 2 GB на флаш устройствата от ново поколение.