Нова разработка на японската компания Toshiba обещава да увеличи неколкократно капацитета на флаш паметите. Технологията ще позволи производство на флаш чипове с 10-нанометрови топологически елементи, които са в пъти по-малки от сегашните, съобщават от компанията.
До четири години ще бъдат създадени микросхеми с капацитет 100 гигабита, или 12,5 гигабайта. За сравнение, паметите в днешните устройства от рода на iPod използват флаш чипове с капацитет 16 гигабита.
За най-високо постижение се счита обявения от Hynix 30-нанометров чип с капацитет 64 гигабита. Лидер на пазара за флаш памети е Samsung, следван от Toshiba, чиято нова технология е наречена „двойно тунелиране”.