Тайванци създадоха компактна алтернатива на DRAM

Оперативна памет с намален брой контакти ще направи DRAM чиповете по-миниатюрни (източник: CC0 Public Domain)

Нова архитектура на динамична оперативна памет с произволен достъп (DRAM) обещава по-компактни чипове. RPC DRAM, създадена от тайванската компания Etron Technology, идва с намален брой контакти (RPC – Reduced Pin Count).

Според разработчика, RPC DRAM практически не отстъпва на DDR4 паметите по пропускателна способност и капацитет, а по-малкият брой контакти позволява производство на чипове памет в миниатюрни корпуси.

Ники Лу, мениджър на Etron, подчертава, че RPC DRAM ще доведе до намаляване на физическите размери и стойността на модулите оперативна памет, в резултат на което те ще станат по-подходящи за използване в различни електронни джаджи и компактни устройства.

Архитектурата на RPC DRAM е подобна за DDR3 или LPDDR3 с организация X16, X32 и X64, като обезпечава пропускателна способност съответно 4,8GB/s, 9,6GB/s и 19,2GB/s, при използване на само 22 контакта. Регистрите на шината за данни се превключват между адресен и команден режим.

Etron вече разполага с различни варианти на чипове RPC DRAM. Най-компактният от тях има размери 4,7х2 мм. Компанията си сътрудничи с Lattice Semiconductor – американски производител на програмируеми логически матрици (FPGA), в резултат на което е създаден демонстрационен образец на платка Lattice EPC5-5G и памет Etron RPC DRAM.

Lattice планира да пусне серия еталонни платформи, които ще ускорят разработките с използване на технологията RPC, през първата половина на текущата година. Конкретни срокове за комерсиално производство и цени на RPC DRAM не са известни.