Специалисти от IBM направиха поредния пробив във високите технологии. Комбинация от самоизграждащи се ДНК структури и съвременни методи за производство на чипове ще позволи "слизане" на нива под 22 нанометра.
В разработката са участвали и учени от Калифорнийския технологичен институт, съобщи Синият гигант.
Технологичният пробив ще направи възможно производството на чипове с още по-висока плътност на транзисторите и работещи на по-високи скорости.
Слизането под 22 нанометра е невъзможно със сега използваните материали. Изследователите на IBM предлагат ДНК молекули, които участват в самоизграждащи се структури, служещи за проводници в чипове с размер на транзистора по-малък от 22 нм.
С помощта на самоасеблиращите се ДНК молекули могат да се изграждат един вид миниатютри "печатни платки", на които след това се поместват "компонентите" – в случая въглеродни нанотръби и частици с размер, много по-малък от този на елементите в традиционните микросхеми.
В момента микросхемите се произвеждат по 45-нм процес. Към края на годината се очакват чипове, изпълнени по 32-нм технология.