Учени от Изследователския център Томас Уотсън на IBM разработиха свръхбърз полеви графенов транзистор, с гранична честота 100 гигахерца, съобщи списание Science.
За да създадат графенов слой, в продължение на 2 минути учените са задържали пластина силициев карбид при температура 1450 градуса по Целзий. След това по метода на електронната литография са формирали електродите изток и сток – слоеве титан, паладий и злато с дебелина 1, 20 и 40 нанометра.
На запазения между тях канал от открит графен е нанесен защитен диелектричен слой от полихидроксистирол с дебелина 10 нанометра. Отгоре са били поставени хафниев диоксид, който се отличава с висока диелектрична проницаемост, и електрод на затвора.
Дължината на затвора на най-добрите от експерименталните транзистори е сравнително голяма – 240 нанометра (съвременните силициеви схеми вече достигнаха 32 нм). Тестовете са извършени при честота 30 GHz, а оценката при работа на честота 100 GHz е направена чрез екстраполация.
Предишният графенов транзистор на IBM, представен преди една година, имаше гранична честота 26 GHz. При сравнима дължина на затвора, силициевите транзистори достигат 40 GHz.
Целта пред изследователите на IBM сега е да намалят размерите и да повишат качеството на графеновия слой.