Първият масово достъпен магнитен чип е вече факт

Компанията Freescale Semiconductor пусна на пазара първия масово достъпен микрочип, който функционира на базата на технологията MRAM (Magnetoresistive random access memory).

На 10 юли стартира продажбата на неголямо количество от новите чипове, като единичната цена беше фиксирана на $25. Датата е знаменателна, защото дава реален израз на близо десетгодишните усилия на учени от различни среди.

MR2A16A е 4-мегабитов чип със скорост на четене и запис от 35 наносекунди за цикъл. За функционирането му е необходимо напрежение от 3.3 V. След запис информацията се запазва и при изключване на захранването в минимален период от 10 години. Експертите определиха събитието като “историческо”.

Причината за това е, че за пръв път крайният потребител може да се възползва от предимствата на MRAM технологията, които не са малко. На първо място чипът е сравнително лесен и евтин за изработка, с което се доближава до най-разпространения вид технология за памет, използвана при компютрите – DRAM (dynamic random access memory).

MRAM чиповете са бързи и притежават значителна издръжливост, като по тези показатели спокойно могат да се конкурират със SRAM (static random access memory).

Друго съществено предимство на MRAM е това, че информацията, щом веднъж е записана, не се губи при изключване на захранването. Поради тази причина голяма част от експертите предвиждат, че MRAM технологията ще замести флаш паметта.

Всички тези елементи обрисуват цялостното лице на новия продукт – чип, който е приложим във всички технологични сфери, интегриращ най-добрите качества на своите предшественици, като дори надвишава част от тях, смятат някои специалисти. MRAM е бърза и евтина памет, която консумира по-малко енергия.

Характерното за MRAM технологията е, че информацията се складира посредством създаване на индуцирано магнитно поле. Данните се записват в специални клетки, които се състоят от две феромагнитни плочки. Те са разделени помежду си с тънък изолационен пласт, като едната плочка е магнит с установена полярност, а другата мени своята полярност спрямо външната среда.

Всички сложни процеси при MRAM технологията се извършват благодарение на магнитни полета и смяна на полярността на едната от двете плочки в клетките. Това кара много експерти да оприличават MRAM с една от първите технологии при компютърните памети – Core Memory. При нея имаме керамични пръстени, които поддържат магнитно поле. Именно чрез неговата полярност се осъществява процеса на складиране на информацията.

По-нататъшното развитие на MRAM е свързано с използването на технологията spin-torque-transfer (STT), която борави със “спин” състоянието на електроните (т.е. със състоянието на “трептене”). При него се разчита на манипулиране на трептенето на електроните, посредством което те сами образуват магнитно поле.

Експертите се опасяват, че при MRAM ще има проблеми с плътността на записа, поради голямото количество енергия, която се изразходва. При STT този проблем просто липсва, защото електроните компенсират голяма част от изразходвания ток при записа на информация в клетките. Всичко това осигурява и изключително малки размери на продуктите, ползващи STT технология – под 65 nm.

Масовото използване на MRAM чиповете ще се реализира в най-различни технологични сфери, казват експертите, но се изисква определен период от време новата технология да се възприеме от големите производители и да достигне до крайните клиенти. Но това са традиционните рутинни процеси. Крачката в бъдещето вече е факт, а не е просто тенденция, която да съществува само на хартия или в съзнанието на анализаторите.

Истинските успехи се очаква да споходят Freescale след 18 месеца, когато компанията планира да започне интегрирането на магнитна памет в микроконтролерите, които се използват за управление на коли, в потребителската електроника и в други области.