(снимка: Weebit Nano)
Weebit Nano, израелският разработчик на нов тип енергийно-независима ReRAM памет, уверено върви към пазарен успех. В резултат на издаването на допълнителни акции (Weebit Nano се листва на борсата в Австралия) и благодарение на други инвестиции, компанията е привлякла още 3,1 милиона долара за изследвания, разработка и закупуване на оборудване.
Weebit Nano вече е разработила технология за производство и клетка резистивна памет, базирана на евтин материал като силициевия оксид (SiOx). Френският изследователски институт Lee подпомага Weebit Nano в процеса на подготовка за серийно производство на масиви ReRAM.
През 2017 г., със съвместни усилия беше създаден прототип на ReRAM масив от няколко килобайта (KB) върху 200-мм пластини по технология с 300-нм процес. Година по-късно технологията беше подобрена и партньорите пуснаха мегабайтов масив от ReRAM по 40-нм процес.
[related-posts]
До края на тази година се очаква да бъде изготвен ReRAM масив по 28-нм технология, на 300-мм пластини. Това вече е нещо практично, което може да се приложи в съвременното производство, отбелязва Storagenewsletter.
Според Weebit Nano, голяма южнокорейска компания е готова да започне масово производство на ReRAM (или продукти с ReRAM под формата на вградени масиви) по 28-нм технология преди края на 2020 г. Макар че не се посочва името на партньора, най-вероятно това е Samsung.
Все по-интензивното търсене на алтернативи на NAND паметта е предпоставка в следващите три до пет години на пазара да се появи нещо ново – това могат да бъдат ReRAM, MRAM или PcRAM памети.
Китай също се интересува от ReRAM. Местната компания SMIC, например, си сътрудничи с Crossbar в тази област. Израелският Weebit Nano представлява интерес за китайците, тъй като притежава технология за производство, близка до внедряването.
През лятото китайската компания XTX Technology подписа меморандум за сътрудничество с Weebit Nano. Така че ако не Южна Корея, то Китай е готов да възприеме принципно новата енергийно-независима памет.
2 коментара
Таз клавиатура горе на снимката кво общо има с тая памет? Ало админа?
Resistive random-access memory (ReRAM or RRAM) is a type of non-volatile (NV) random-access (RAM) computer memory that works by changing the resistance across a dielectric solid-state material, often referred to as a memristor.
This technology bears some similarities to conductive-bridging RAM (CBRAM), and phase-change memory (PCM).