Първият чип 3D NAND памет с повече от 300 слоя е разработка на SK Hynix
(снимка: SK Hynix)
Корейският производител на памети SK Hynix първи в индустрията демонстрира 3D NAND чип с повече от 300 слоя. Новата памет очертава бъдеще с повсеместно използване на умни асистенти.
SK Hynix все още не е завършила напълно разработката на флаш-чипа с 321 слоя, но обещава да направи това през следващата година и да пусне паметта с рекордно голяма плътност на пазара през първата половина на 2025 г.
321-слойните чипове с флаш памет са базирани на клетки с памет на три нива (TLC). Капацитетът на един чип ще бъде 1 терабит (Tbit). Сегашният 238-слоен 3D NAND на компанията е с наполовина по-малък капацитет – 512 гигабита (Gbit). Преминаването от 238-слойна памет към 321-слойна ще увеличи добива на капацитет от силициевите пластини с 59%.
Инженерите на SK Hynix осветлиха за първи път разработката на 300-слойна памет през март тази година на конференцията ISSCC 2023. От представените тогава документи стана ясно, че 300-слойните чипове ще имат подобрена архитектура, с повече слоеве и връзки, както и с леко модифицирани сигнали за управление и програмиране.
Взети заедно, всички тези подобрения ще увеличат пропускателната способност на 3D NAND паметта от 164 MB/s на 194 MB/s. Енергийната ефективност също ще се увеличи, поради по-високата плътност на запис.
Междувременно SK Hynix обяви, че успоредно с 300-слойната памет е започнала работа и върху интерфейси от следващо поколение като PCIe 6.0 и UFS 5.0. Последният ще се използва и в дискове, базирани на 300-слойни чипове.