Паметите HBM3E ще ускорят развитието на изкуствения интелект
(снимка: SK Hynix)
Корейският производител SK Hynix обяви, че е разработил оперативна памет (DRAM) от следващо поколение HBM3E, която е най-бързата в света и е предназначена за използване във високопроизводителни платформи, по-специално в сферата на изкуствения интелект. В момента клиенти на компанията тестват новата памет.
HBM (High Bandwidth Memory) е високоскоростна памет, която представлява стек от няколко чипа DRAM, свързани вертикално. Тази структура осигурява значително увеличение на скоростта на обработка на данните, в сравнение с обикновените чипове DRAM.
Всъщност HBM3E е усъвършенствана версия на паметта HBM3 от пето поколение, която замени предишните поколения: HBM, HBM2, HBM2E и HBM3. В изявление за новата памет SK Hynix подчертава, че успешната разработка на HBM3E е станала възможна, благодарение на опита на компанията в качеството ѝ на единствен масов производител на DRAM чипове HBM3.
Очаква се серийното производство на HBM3E да започне през първата половина на следващата година и да укрепи лидерството на SH Hynix на пазара за AI памети. Според производителя, новият продукт не само отговаря на най-високите индустриални стандарти за скорост – ключов параметър на паметта за AI задачи, но и в други категории, включително капацитет, разсейване на топлината и използваемост.
HBM3E е в състояние да обработва данни със скорост до 1,15 TB/s, което е еквивалентно на прехвърляне на повече от 230 пълнометражни филма с FHD резолюция от 5 GB всеки в секунда.
В допълнение, HBM3E има 10% по-добро разсейване на топлината, благодарение на усъвършенстваната технология Advanced Mass Reflow Molded Underfill (MR-MUF2). Новата памет осигурява и обратна съвместимост, което ще позволи да се използва в съществуващи ускорители с HBM3.