Робот зарежда напълно самостоятелно електрически автомобил, оборудвани с новата технология на Бош (снимка: Бош)
Автоматизирано зареждане на електромобили – технология, която немската компания Бош представя на CES 2024 в Лас Вегас – спечели наградата за иновации от Асоциацията за потребителски технологии (CTA).
В паркингите с автоматизирана система за паркиране електрическите автомобили, оборудвани с новата технология, могат да се придвижат сами до свободно място, екипирано със зарядна станция. С едно натискане на бутона на смартфона робот зарежда батерията без човешка намеса.
След като зареждането приключи, превозното средство маневрира безпилотно към друго място за паркиране, освобождавайки зарядната станция за следващата кола, демонстрира Бош.
Собствениците на електромобили могат да заредят батерията само с натискане на един бутон на смартфона (снимка: Бош)
„Всяка стъпка към по-голям комфорт в електромобилността увеличава не само нейната привлекателност, но и приемането ѝ”, коментира Таня Рюкерт, член на Управителния съвет на Бош.
Това е още една причина, поради която компанията се фокусира върху иновативния полупроводников материал силициев карбид (SiC) – ключов компонент за електрифицираната мобилност. Разпространението на електромобилността в световен мащаб води до огромно търсене на тези специални полупроводници.
Използвайки изключително сложни процеси, Бош произвежда SiC чипове в завода си в Ройтлинген, Германия, от 2021 г., а в момента инвестира над 1,5 милиарда долара в нов завод за чипове в Роузвил, Калифорния. Този ход ще укрепи международната мрежа за производство на полупроводници на компанията.
Бош планира да започне производство на първите SiC чипове в САЩ до 2026. Така броят на произведените от компанията чипове ще нарасне десетократно през следващите години.
SiC чиповете увеличават пробега на електромобилите и правят зареждането им по-ефективно, тъй като енергийните им загуби са до 50% по-ниски. Те дават възможност на автомобила да стигне по-далеч с едно зареждане на батерията – средно пробегът с тях е до 6% по-голям, отколкото с чиповете на базата на силиций.