В стремежа си да постигне технологичен суверенитет Китай се приближава към производството на 3-нанометрови чипове, макар че използва за целта по-стари DUV литографски машини. Въпреки това остават редица предизвикателства, преди местната полупроводникова индустрия да започне масово производство на такива чипове.
Китайската академия на науките обяви нова транзисторна архитектура от типа Gate-All-Around (GAA), която постига съотношение на проводимост „включено/изключено“ (on/off ratio) над 500 000 при използване на оборудване за DUV литография.
Това постижение на китайските учени теоретично позволява производителност, еквивалентна на тази при 3-нанометровия технологичен процес. За разлика от FinFET, технологията GAA се отличава с по-прецизен контрол на тока и намалени утечки, отбелязва My Drivers.
Оборудването за DUV литография обаче не може самостоятелно да формира елементи с мащаб от 3 нанометра. Постигането на толкова напреднали технологични възли обикновено изисква техники като многократно експониране (multi-patterning) и други методи за мащабиране.
Китайските учени твърдят, че новата архитектура преодолява това ограничение чрез увеличаване на разстоянието между транзисторите, като по този начин запазва необходимите експлоатационни характеристики и създава „еквивалент на 3 нм“ без необходимост от EUV литография.
Все пак изследователската разработка представлява технологична възможност, а не готов за внедряване производствен процес за 3-нанометрови чипове.
Новата архитектура решава проблеми на етапа FEOL (Front-End-of-Line) – където се формират самите транзистори – докато последващите етапи MEOL (Middle-End-of-Line) и BEOL (Back-End-of-Line), включващи металните връзки и трасирането на слоя M0, остават отделни предизвикателства.
Така, макар постижението да демонстрира потенциален път за развитие на DUV технологията към по-усъвършенствани технологични възли, пълноценният индустриален процес ще изисква преодоляване на ограниченията и в следващите етапи на производството на чипове.
