Micron Technology пусна първи образци на памети RLDRAM от трето поколение. Те са изпълнени по технология с висока пропускателна способност, която осигурява по-ефективно предаване на данни в мрежата.
RLDRAM паметите са предназначени за високопроизводителни мрежови приложения, вкл. маршрутизатори и концентратори от висок клас, които изискват повишена скорост на четене/запис.
 Новата памет RLDRAM 3 на Micron осигурява по-високо бързодействие и ниска консумация |
Micron лансира RLDRAM 3 като подходящи за 40- и 100-гигабитови Ethernet решения, буфериране на пакети и таблици на съответствия.
Новата памет има висока скорост – до 2133 мегабита в секунда, ниска латентност при произволен достъп – до 10 наносекунди, и консумира само 1,35 вата.
Масовото производство на RLDRAM 3 ще започне през второто полугодие. Движещи фактори за навлизане на този тип памети са онлайн услугите от рода на IPTV и видео по поискване, мобилните приложения и облачните услуги.