IBM създаде мигновена памет, която работи 100 пъти по-бързо от флаш паметите, твърди компанията. Новата технология е известна като памет с промяна на фазовото състояние (PCM).
Разработката ще отвори пътя за производство на бързи и енергийнонезависими памети с широко приложение – от мобилни телефони до центрове за данни. Очаква се в следващите 5 години PCM технологията да доведе до принципна промяна в системите за съхранение на данни.
 PCM паметта е направена от сплав, която при въздействие на напрежение приема различни фазови състояния |
PCM ще предложи до 100 пъти по-високи скорости на запис и четене, в сравнение с широко използваните в момента флаш памети. Това ще позволи създаване на компютри и сървъри, които се зареждат мигновено и работят значително по-бързо.
За разлика от флаш паметта, PCM има по-дълъг експлоатационен срок, достигащ над 10 милиона цикъла на запис в една клетка. Флашът гарантира около 30 000 цикъла на презапис.
PCM паметта е направена от особена сплав, която при нагряване приема различни физически състояния, или фази, под влияние на подаваното напрежение. Проблем досега беше непостоянството на една от фазите, което водеше до грешки при четене. Като друг недостатък се посочваше ограничението от само един бит на клетка.
Изследователите на IBM са успели не само да преодолеят непостоянството на фазовото състояние, но и да запишат по 4 бита данни във всяка клетка. Създаденият 90-нанометров прототип включва 200 хиляди клетки и може да съхранява данни без захранване в продължение на 5 месеца.
Освен това чрез итеративен подбор на импулси напрежение учените са постигнали запис за 10 микросекунди, което е 100 пъти по-кратко време отколкото при флаш паметите.
Не е лошо да обърнете внимание и на кристалите и кристалните им решетки. И там има нива на взаимодействие и дефазиране. Всеки атом носи информация в даденото ниво, също така и на пластовете, а от своя страна на молекулите и кристалните решетки. Бая зор, но си заслужава. Който търси, той намира!
Дано да има успех!