Съвместното предприятие на Intel и Micron създаде първия в индустрията кристал NAND памет с капацитет 16 GB. Новата схема е произведена по 20-нанометров процес и има два пъти по-висока плътност на информацията в сравнение със сегашните продукти, твърдят от IM Flash Technologies (IMFT).
Intel и Micron направиха възможно създаването на чипове NAND памет с капацитет 128 GB и размери колкото човешки нокът
Обединяване на 8 от новите кристали ще позволи създаване на чипове памет с капацитет 128 GB с размерите на нокът. За да постигнат толкова висока плътност на флаш паметта, инженерите на IMTF са приложили технология за мащабиране на клетките, която използва иновативна планарна структура и транзистори Hi-K Metal Gate.
Новият модул отговаря на изискванията на спецификацията ONFI 3.0 и достига скорост 333 мегатрансфера в секунда (милиона входно-изходни операции в секунда). Очаква се разработката да намери приложение в потребителски устройства като смартфони и таблети, както и в промишлени системи за съхранение на данни.
Първите тестови образци на 16-гигабайтовата NAND памет ще бъдат готови през януари, а серийното производство ще започне към края на първото полугодие на 2012-та.
IMFT вече усвои 20-нанометровото производство на кристали памет с капацитет 8 GB. Серийното производство на подобни памети започна този месец. Компанията разчита, че обемът на производството ще й позволи скоро да премине към серийно пускане на 16-гигабайтови модули.
Съвместното предприятие на Intel и Micron беше създадено през януари 2006 г. В момента IMFT разполага с два завода – в САЩ и Сингапур – и е лидер по отношение на технологичния процес за производство на флаш памети.
Интересно, не пише от къде е източника на тази информация. Не вярвам technews сами да са го съчинили.
333 мегатрансфера? Това в 333,000,000 IOPS-а ли се обръща? :О
Че тя РАМ паметта е само с 5 гигатрансфера, т.е. тези твърди дискове ще са само 10 пъти по-бавни от РАМ :О