Флаш паметите “слизат” към 30 нанометра

Производителите на флаш памети кроят планове за преход към нови технологични процеси, за да увеличат капацитета и бързодействието на своите продукти и така да отговорят на пазарното търсене.
Японският гигант Toshiba обяви намерението си да премине към 45 нанометра през първото тримесечие на следващата година. През 2009-та компанията планира да започне 30-нанометрово производство на флаш памети.
Toshiba e изправена пред трудната задача да се конкурира с лидера на пазара Samsung, който все още не е обявил конкретни планове за слизане по скалата на нанометрите. Но едва ли корейците стоят със скръстени ръце и се очаква в скоро време да разкрият бъдещите си ходове.
Преминаването към 30-нанометров процес, което според анализаторите е неизбежно, ще има обаче негативен ефект върху цените на продуктите. Очаква се флаш паметите по новия технопроцес да поскъпнат, а това би засегнало пазарния дял най-вече на преследвачите на Samsung.

Коментар