Чипът MLC (Multi Level Cell) NAND е поредна важна стъпка към увеличение на плътността на флаш паметите. 16 такива чипа формират флаш памет от 128 гигабайта.
Пробивът е станал възможен, благодарение на новата технология SaDPT (self-aligned double patterning technology), която позволява да се приложи литография с технологичен процес 30 нанометра и дори по-малко.
Серийното производство на 64-гигабитовия, 30-нанометров флаш чип MLC NAND се очаква да започне през 2009 година. Toshiba, японският конкурент на Samsung, също обяви планове да пусне 30-нм флаш памети след две години.
Според прогнозите на анализаторите, пазарът на подобни продукти ще достигне 20 милиарда долара до 2011 година.