Учени, работещи за японския гигант Fujitsu, създадоха нов тип памет, за която твърдят, че осигурява непозната досега скорост и енергийна ефективност. Технологията е била представена на международния семинар по електронни устройства IEDM този месец във Вашингтон.
Резистивният модул ReRAM представлява постоянна памет, която съчетава ниско енергопотребление с малки колебания на стойността на съпротивлението.
Разработката е нов пробив в миниатюризацията и разкрива значителни възможности за намаляване на себестойността на производството. Постижението се дължи на промени в структурата на паметта чрез добавяне на титан (Ti) в никеловия оксид (NiO) и ограничение на тока на транзисторите.
От Fujitsu лансират своята нова памет като алтернатива на флаш паметите, която ще предложи по-висока скорост, по-малка консумация и по-ниска цена.