Вдигат рекордно плътността на мобилната памет

Чипове памет за мобилни устройства с рекордно висока плътност и производителност разработи Micron Technology. Американската компания вече доставя пробни образци от новите чипове на свои партньори, а първите устройства с тях се очакват през втората половина на 2017 г.

Micron разполага в момента с четири модела от новите чипове, два от които се базират на стандарта Universal Flash Storage (UFS) 2.1, а други два стъпват на MultiMediaCard (eMMC) 5.1. Единият от UFS моделите представлява многофункционален модул, който съдържа 32 GB флаш памет и 3 GB оперативна памет LPDDR4X, докато другият включва само 32 GB флаш.

Новите чипове използват технология 3D NAND, което означава до 32 слоя клетки, наложени един върху друг. Това позволява значително да се повиши плътността на записа на данни – три пъти, в сравнение с планарната структура.

Освен това Micron за първи път в индустрията на мобилните чипове памет използва транзистори с плаващ гейт. Подобно решение позволява да се увеличи животът на паметта и нейната надеждност, поясняват от компанията.

Скоростта на работа на новите чипове достига 600 мегабита в секунда (Mb/s) в режим на последователно четене, или с 40% повече спрямо предходното поколение мобилна памет. Площта на кристала е само 60,2 кв. мм, което прави подобни чипове идеални за използване в мобилни устройства.

[related-posts]

Флаш паметите с триизмерна структура на клетките се предлагат практически от всички производители, вкл. Samsung, Toshiba и партньора на Micron – Intel. През февруари тази година Samsung пристъпи към серийно производство на чипове с капацитет 256 GB на базата на подобна технология, която корейската компания нарича V-NAND.