Samsung първи пуска 10-нм FinFET SoC чипове

10-нанометровата технология FinFET използва с 30% по-ефективно площта на силициевия кристал

10-нанометровата технология FinFET използва с 30% по-ефективно площта на силициевия кристал

Samsung започна серийно производство на едночипови системи по 10-нанометров технологичен процес FinFET. Компанията твърди, че първа в света е усвоила подобно производство.

Устройства с 10-нм SoC чипове от Samsung се очакват на пазара в началото на 2017 г., съобщават от компанията, която обяви плановете си за новия технологичен процес преди една година.

Технологията, известна като 10LPE, използва с 30% по-ефективно площта на силициевия кристал, като същевременно намалява консумацията на енергия с 40% и увеличава производителността с 27%.

Серийното производство и използване на технологичен процес 10LPP, оптимизиран по критериите за висока производителност, се очаква да започне през второто полугодие на 2017 г., уточняват от компанията.

Коментар