Чип, който излъчва и насочва светлината, може да доведе до широката употреба на силициеви фотонни компоненти в бъдещите компютри и информационни центрове. Изследователи от Intel и Университета Санта Барбара в Калифорния (UCSB) създадоха първия в света хибриден силициев лазер, захранван от електричество, като използваха силициеви процеси на производство.
Това постижение ще реши една от най-големите пречки при производството на нискобюджетни, широколентови силициеви фотонни устройства за вътрешна и външна употреба в компютри и информационни центрове, смятат в Intel.
Изследователите са комбинирали в един хибриден чип свойствата за излъчване на светлината на индиев фосфид със способностите на силиция да определя посоката на светлината. Когато се включи електричество, светлината, генерирана от индиевия фосфид, навлиза в светлинната вълна на силиция, като създава непрекъснат лазерен лъч. Той може да се използва за задействане на други силициеви фотонни устройства.
Базираният на силиций лазер ще доведе до широката употреба на фотонната физика при компютрите, тъй като разходите за производство на чипове в големи количества могат да бъдат намалени чрез силициевата технология.
„Можем да очакваме нискобюджетни, оптични „информационни тръби” на ниво терабит за бъдещите компютри и една нова епоха на високопроизводителни компютърни приложения”, казва Марио Панича, директор на „Фотонната технологична лаборатория” на Intel. „Вярваме, че десетки, дори хиляди хибридни силициеви лазери могат да бъдат обединени с други фотонни компоненти от силиций върху един единствен силициев чип”, допълва той.
„Като съчетахме опита на UCSB с индиевия фосфид и опита на Intel в областта на силициевата фотонна физика, ние демонстрирахме непозната досега лазерна структура”, каза професор Джон Бауърз от UCSB. “Тя поставя началото на изключително добре интегрирани фотонни чипове от силиций за нискобюджетно и масово производство”, смята ученият.