Флаш паметите по стандарта UFS 3.0 са подходящи за мобилни и VR устройства (източник: Toshiba Memory America)
Компанията за памети Toshiba Memory America пусна първите в индустрията образци на флаш модули по стандарта UFS 3.0 с капацитет до 128GB. Очаква се производителят да предложи и чипове с капацитет 256GB и 512GB.
Новите UFS 3.0 (Universal Flash Storage) модули използват 96-слойна 3D памет BiCS Flash на Toshiba. С високите си скорости на четене и запис, подобна памет е подходяща за използване в смартфони, таблети и устройства за допълнена и виртуална реалност.
BiCS Flash паметта и контролерът са поместени в корпус по стандарта JEDEC с размери 11,5×13 мм. В режим на пълен дуплекс се поддържат едновременно четене и запис на данни между процесора и UFS устройството.
Теоретичната скорост на UFS 3.0 паметта достига 11,6Gbps на линия (23,2Gbps по две линии), без да се увеличава енергийната консумация с нарастване на скоростта, подчертават от производителя.
При последователно четене и запис UFS 3.0 модулът с капацитет 512GB предлага увеличение на скоростта съответно със 70% и 80% спрямо флаш модулите на Toshiba от предишно поколение с капацитет 256GB.