Първият в света масово произвеждан радиочестотен чип на базата на галиев нитрид, създаден в Китай, вече се доставя в големи количества. Продажбите надхвърлят 5 милиона бройки.
Китайският институт за електронни технологии (CETC 55), който независимо разработи RF чипа от силициев галиев нитрид (Si-GaN) за масово използване в интелигентни устройства, обяви, че е достигнал значителен етап в проекта.
Към днешна дата доставките на този чип надхвърлят 5 милиона бройки. Това постижение бележи първото в света мащабно търговско приложение на RF чипове от силициев галиев нитрид в потребителски устройства.
През октомври миналата година институтът обяви, че е доставил първия си милион бройки от чипа и, че го е оптимизирал за използване в смартфони и други интелигентни устройства.
Китайският продукт запълва съществуваща празнина в индустрията в областта на терминалните радиочестотни приложения на чипове от силициев галиев нитрид. Новият чип е преодолял ключово технологично предизвикателство – високата плътност на кристалните дефекти в епитаксиалния слой на силициевия субстрат.
Очаква се китайската технология да се превърне в техническа основа за създаване на напълно интегрирана въздушна, космическа и наземна информационна мрежа, осигуряваща глобално покритие и високоскоростна, непрекъсната свързаност.
