Учени от Масачузетския технологичен институт са намерили начин за създаване на 9-нанометрови чипове чрез технология на електронно-лъчева литография, която се счита за алтернатива на широко използваната в момента фотолитография.
В продължение на 50 години транзисторите стават все по-малки, но през цялото това време електронната индустрия използва една и съща технология – фотолитографията. Размерът на транзисторите при нея е ограничен от дължината на вълната на видимата светлина, посочват учените в публикуция на сп. Microelectronic Engineering.
Ако производителите на чипове продължат да намаляват размера на транзистора, то вероятно ще трябва да преминат към друга технология, казват учените. Като алтернатива те предлагат електронно-лъчева литография за произвводсто на чипове.
Тази технология обаче е по-бавна от фотолитографията, а повишаването на скоростта е за сметка на резолюцията. Най-малкият чип, произведен досега чрез електронно-лъчева литография, има 25-нанометрова топология, което е малко по-добре постижение от 32-та нанометра на фотолитографията.
За да достигнат резолюция 9 нанометра, учените от MIT са използвали светочувствителен материал, който реагира на малки дози електрони и е бил нанесен на по-тънък слой, за да се минимизира разпространението на електрони. След облъчването, схемата била проявена в солен разтвор, така че областите, които са получили различен брой електрони, да имат еднакви характеристики.